BC849BW /T3

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

BC849BW /T3 datasheet

• Маркировка
  BC849BW /T3
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors BC849BW /T3 Collector- Base Voltage Vcbo: 30 V Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 30 V Configuration: Single Dc Collector/base Gain Hfe Min: 200 at 2 mA at 5 V Emitter- Base Voltage Vebo: 5 V Factory Pack Quantity: 10000 Gain Bandwidth Product Ft: 100 MHz Maximum Dc Collector Current: 0.1 A Maximum Operating Temperature: + 150 C Maximum Power Dissipation: 200 mW Minimum Operating Temperature: - 65 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-323 Part # Aliases: BC849BW,135 Product Category: Transistors Bipolar - BJT Rohs: yes Transistor Polarity: NPN
• Количество страниц
  7 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet BC849BW /T3.pdf
Файл формата Pdf 65,36 KB